طراحی و شبیه سازی فین فت دوگیتی نانومتری مبتنی بر تکنولوژهای Si، GaAs و InGaAs


در حال بارگذاری
طراحی و شبیه سازی فین فت دوگیتی نانومتری مبتنی بر تکنولوژهای Si، GaAs و InGaAs
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی و شبیه سازی فین فت دوگیتی نانومتری مبتنی بر تکنولوژهای Si، GaAs و InGaAs دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی و شبیه سازی فین فت دوگیتی نانومتری مبتنی بر تکنولوژهای Si، GaAs و InGaAs  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی و شبیه سازی فین فت دوگیتی نانومتری مبتنی بر تکنولوژهای Si، GaAs و InGaAs،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی و شبیه سازی فین فت دوگیتی نانومتری مبتنی بر تکنولوژهای Si، GaAs و InGaAs :

تعداد صفحات :۱۳

چکیده مقاله:

در این مقاله ساختار فین فت دوگیتی-دوماده ای با اتصال گیت شاتکی با underlap بررسی شده است. جریان درین، رسانایی متقابل، رسانایی خروجی، خازن گیت-سورس و فرکانس قطع ترانزیستور برای کاربردهای آنالوگ و فرکانس بالا برای نیمه هادی های Si، GaAs و InGaAs بررسی شده است. بر اساس نتایج شبیه سازی با کاهش طول underlap جریان درین افزایش خواهد یافت. همینطور نتایج شبیه سازی نشان می دهد که برای InGaAs بالاترین جریان درین، بالاترین رسانایی متقابل، بالاترین رسانایی خروجی و بالاترین فرکانس قطع را در ولتاژ گیت کمتر از ۰/۶ ولت خواهیم داشت. بر اساس نتایج شبیه سازی GaAs بالاترین ضریب تولید رسانایی متقابل را از خود نشان می دهد.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.