مقاله رشد دما پایین نانو بلورهای سیلیکان و ژرمانیم به کمک پلاسمای RF هیدروژن برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک


در حال بارگذاری
مقاله رشد دما پایین نانو بلورهای سیلیکان و ژرمانیم به کمک پلاسمای RF هیدروژن برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله رشد دما پایین نانو بلورهای سیلیکان و ژرمانیم به کمک پلاسمای RF هیدروژن برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک دارای ۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله رشد دما پایین نانو بلورهای سیلیکان و ژرمانیم به کمک پلاسمای RF هیدروژن برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله رشد دما پایین نانو بلورهای سیلیکان و ژرمانیم به کمک پلاسمای RF هیدروژن برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله رشد دما پایین نانو بلورهای سیلیکان و ژرمانیم به کمک پلاسمای RF هیدروژن برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک :

تعداد صفحات:۳

چکیده:

ساختارهای نانو بلوری سیلیکان و ژرمانیم به کمک هیدروژناسیون با پلاسمای RF و حرارت دهی در چندین مرحله متوالی و بدون نیاز به استفاده از فلز ، بر بستر شیشه ای رشد داده شده اند . این فرآیند منجر به ایجاد ساختار های دانه ای سیلیکان و ژرمانیم با اندازه متوسط دانه کمتر از ۱۰۰ نانومتر به ترتیب در دماهای پایین۱۵۰ °C و ۲۵۰ °Cمی شود . اثر توان پلاسمای هیدروژن در دماهای مختلف بر روی بلورینگی این لایه ها به کمک آنالیزTEMو SEMبررسی شده اند . با کنترل دمای حرارت دهی و توان پلاسما ، لایه های چند بلوره سیلیکان و ژرمانیم با کیفیت افزاره ای رشد داده شده اند که می توان از آنها در ساخت ترانزیستورهای لایه نازک که در الکترونیک مساحت بزرگ ارزان قیمت کاربرد دارند ، استفاده کرد

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.