مقاله Area Effect of Reflectance in Silicon ‎Nanowires Grown by Electroless Etching

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مقاله Area Effect of Reflectance in Silicon ‎Nanowires Grown by Electroless Etching دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله Area Effect of Reflectance in Silicon ‎Nanowires Grown by Electroless Etching  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله Area Effect of Reflectance in Silicon ‎Nanowires Grown by Electroless Etching،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله Area Effect of Reflectance in Silicon ‎Nanowires Grown by Electroless Etching :

سال انتشار : ۲۰۱۷

تعداد صفحات :۱۰

This paper shows that the reflectance in silicon nanowires (SiNWs) can be optimized as a function of the area of silicon substrate where the nanostructure growth. SiNWs were fabricated over four different areas of silicon substrates to study the size effects using electroless etching technique. Three different etching solution concentrations of silver nitrate (AgNO3) and hydrofluoric acid (HF) at room temperature were used in the electroless etching process. Experiments showed that the reflectance in SiNWs can be decreased when the concentration of silver nitrate was optimized for a determinate size of silicon substrate.