مدل سازى مکانیزم های پیرشدگی برای ترانزیستورهای فین فت

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مدل سازى مکانیزم های پیرشدگی برای ترانزیستورهای فین فت دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مدل سازى مکانیزم های پیرشدگی برای ترانزیستورهای فین فت  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مدل سازى مکانیزم های پیرشدگی برای ترانزیستورهای فین فت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مدل سازى مکانیزم های پیرشدگی برای ترانزیستورهای فین فت :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

طبق پیشبینی مور در سال ۱۹۶۵ بعد از گذشت هر هجده ماه تعداد ترانزیستورهای روی یک تراشه دو برابر می شود. این پیشبینی با کوچک کردن ابعاد ترانزیستور محقق شد. این امر منجر به افزایش عملکرد و سرعت افزارهها و رشد پردازندهها شدهاست. از طرف دیگر با کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها و حرکت به سمت تکنولوژیهای نانومتری بروز مشکلات جدیدی عملکرد سیستم را تحت تاثیر قرار میدهد. از جمله این مشکلات میتوان نوسانات فرآیند، خطاهای نرم و پیرشدگی را نام برد. از آنجا که نوسانات پیرشدگی در اثر کارکرد تراشه و افزایش دمای آن است، بنابراین میتوان با طراحی مناسب به نحوی اثر آن را کم کرد. از مهمترین عوامل موثر در پدیده پیرشدگی میتوان به کوچک شدن تکنولوژی ساخت و افزایش دما در سطح تراشه به دلیل افزایش تعداد ترانزیستورها اشاره کرد. از آنجایی که اثرات پیرشدگی و نوسانات ساخت برخلاف خطاهای نرم در تراشه باقی میمانند و بخش عمدهای از آنها قابل ترمیم و بازیابی نیست، وقوع این پدیدهها قابلیت اطمینان تراشه را با چالش جدی روبرو می-کند. مکانیزمهای غالب پدیده پیرشدگی ناپایداری حرارتی بایاس، شکست وابسته به زمان،اثر حامل داغ و مهاجرت الکتریکی هستند. تمامی مدلهای مکانیزم پیرشدگی وابسته به تکنولوژی است. پارامترهای تکنولوژی که تاکنون استخراج شده همه مربوط به تکنولوژی سی- موس ۱بوده و اکثرا برای طول گیت بزرگ تر از ۳۲نانومتر بوده است. در حالیکه تکنولوژی به سمت استفاده از فین فت ۲در ابعاد زیر ۲۰ نانومتر حرکت کرده است. در این مقاله پس از مطالعه مکانیزمهای مختلف پیرشدگی برای تکنولوژی ۱۴ نانومتر فین فت مدل مداری ناپایداری حرارتی بایاس و شکست وابسته به ۳ زمان استخراج شده و اثر این عوامل بر عملکرد ترانزیستور مطالعه میشود. علاوه بر این برای داشتن دید درستی از طول عمر یک افزاره اثر پیرشدگی به طور همزمان با نوسانات ساخت بررسی خواهد شد.