طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN


در حال بارگذاری
طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۹۷,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN دارای ۱۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Anglove ترانزیستور Hemt- GaN :

تعداد صفحات :۱۸

چکیده مقاله:

تقویت کننده های توان یک بخش کلیدی در هر فرستنده هستند ، که پرمصرف ترین بلوک فرستنده می باشند. کاهش این توان مصرفی و افزایش راندمان در دهه اخیر بسیار مورد توجه بوده است. در این مقاله مابه طراحی یک تقویت کننده توان MMIC با مدل دو گیت Angloveترانزیستور HEMT-GaN می پردازیم . در نرم افزار ADS مدلی برای تکنولوژی نیترید گالیم ارایه نشده است و مدل ترانزیستور این شرکت ها در ایران وجود ندارد .پس در ابتدای هر طراحی نیاز مبرم به داشتن یک نمونه مدل کامل ترانزیستور نیترید گالیم احساس می شود.ما در این مقاله با استخراج حداقل ۷۰پارامتر ترانزیستورتوان نیترید گالیم و با استفاده از مدل آنگلاو موجود در ADS یک قطعه کتابخانه ای می سازیم و تمامی آزمایشات لازم را روی آن انجام می دهیم.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.