مطالعه تاثیر پارامترهای ساخت بر عملکرد افزاره نانومتری DG-SOI MOSFETS در ناحیه زیر آستانه

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مطالعه تاثیر پارامترهای ساخت بر عملکرد افزاره نانومتری DG-SOI MOSFETS در ناحیه زیر آستانه دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مطالعه تاثیر پارامترهای ساخت بر عملکرد افزاره نانومتری DG-SOI MOSFETS در ناحیه زیر آستانه  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مطالعه تاثیر پارامترهای ساخت بر عملکرد افزاره نانومتری DG-SOI MOSFETS در ناحیه زیر آستانه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مطالعه تاثیر پارامترهای ساخت بر عملکرد افزاره نانومتری DG-SOI MOSFETS در ناحیه زیر آستانه :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : علوم و مهندسی برق

تعداد صفحات :۶

در این مقاله، تاثیر پارامترهای ساخت، بویژه ضخامت بدنه، طول سورس/درین و ضخامت اکسید گیت، بر روی مشخصه های الکتریکی افزاره نانومتری ماسفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق(DG – SOI MOSFET) ، در ناحیه زیر آستانه بررسی شده است. تحلیل های عددی نشان می دهند، اگر چه با کاهش طول سورس و درین، تغییر چندانی در میزان جریان حالت روشن و نیز اثر کاهش ارتفاع سد پتانسیل توسط درین (DIBL) مشاهده نمی شود، اما خازن موثر گیت بطور چشمگیری کاهش می یابد. کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش سد پتانسیل و افزایش خازن موثر گیت می شود، در حالیکه جریان حالت روشن افزاره کاهش می یابد. بررسی های انجام شده بر روی ضخامت اکسید گیت (Tox) حاکی از آن است که افزایش Tox باعث کمتر شدن خازن موثر گیت می شود. از طرفی با کاهشTox ، جریان افزاره کاهش می یابد، لیکن نسبت ION/IOFF افزایش می یابد.

کلید واژه: افزاره DG-SOI MOSFET، خازن های لبه ای، مشخصه الکتریکی، مقیاس نانو، ناحیه زیر آستانه