بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ

توجه : این فایل به صورت فایل power point (پاور پوینت) ارائه میگردد

 بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ دارای ۵ اسلاید می باشد و دارای تنظیمات کامل در Power Point می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل پاور پوینت بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ۲ ارائه میگردد

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل می باشد و در فایل اصلی بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ :

بهبود خواص الکتریکی وریستور اکسید روی با تغییر منحنی دمایی زینترینگ

چکیده

وریستورهای اکسید روی سرامیک‌های نیمه رسانا می­باشند که دارای خصوصیات الکتریکی غیرخطی هستند که ناشی از مرز دانه­ها و ریز ساختار وریستوری می‌باشد. در این مقاله به مطالعه تاثیر دمای زینترینگ بر روی خواص الکتریکی وریستورهای اکسید روی می­پردازیم. تغییر دمای زینترینگ منجر به تغییر دانسیته وریستور، حفره­های داخلی و غلظت دهنده­ها در مرز دانه ­می­گردد که موجب تاثیر بر روی خواص الکتریکی و مکانیکی وریستور اکسید روی می­شود. اکسید بیسموت در دماهای پایین­تر از دمای زینترینگ ذوب شده و فاز مایع تشکیل میدهد. این فاز در مرز دانه­های اکسید روی کاملا کشیده می­شود؛ در واقع این فاز خاصیت عایق الکتریکی وریستور را افزایش می­دهد. سپس اکسیدهای فلزی افزوده شده به وریستور شامل اکسید منگنز، اکسید کروم، اکسید نیکل، اکسید بور و اکسید کبالت در مرز دانه­های اکسید روی و در دانه­های اکسید آنتیموان حل شده و فاز اسپینل تشکیل می­دهند. فاز اسپینل موجب پایداری در وریستور می­گردد. تصاویر میکروسکوپی از سطح وریستور اکسید روی برای دماهای زینترینگ مختلف نشان می­دهد که در دمای زینترینگ درجه سیلسیوس فازها به خوبی توزیع می­گردند؛ از طرفی تخلخل­ها­ در وریستور در این دما کاهش می­یابد. مشخصات دی­الکتریک، آنالیز دانسیته جریانی برحسب میدان الکتریکی و ضریب غیرخطی وریستورها به صورت تابعی از دمای زینترینگ بیان می­گردد. پس از اندازه­گیری مشخصات الکتریکی مشاهده می­گردد بهترین مشخصات الکتریکی وریستور، مربوط به وریستور با دمای زینترینگ درجه می­باشد.