بهبود اثرات خودگرمایی و اثر بدنه شناور در ترانزیستورهای اثر میدان گالیم آرسینیک روی عایق

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بهبود اثرات خودگرمایی و اثر بدنه شناور در ترانزیستورهای اثر میدان گالیم آرسینیک روی عایق دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بهبود اثرات خودگرمایی و اثر بدنه شناور در ترانزیستورهای اثر میدان گالیم آرسینیک روی عایق  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بهبود اثرات خودگرمایی و اثر بدنه شناور در ترانزیستورهای اثر میدان گالیم آرسینیک روی عایق،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بهبود اثرات خودگرمایی و اثر بدنه شناور در ترانزیستورهای اثر میدان گالیم آرسینیک روی عایق :

تعداد صفحات :۱۲

چکیده مقاله:

این مقاله یک طرح جدید برای ساختار ترانزیستورهای SOI.MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب خود گرمایی(Self Heating Effect) ارائه می دهد. ایده اصلی در این ساختار نوین، استفاده از ماده ۴N3Si می باشد، که دارای هدایت گرمایی بیشترینسبت به دی اکسید سیلیسیم (۲SiO(2) است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که این ساختار نوین باعث می شود که حرارت بیشتری بهلایه های زیرین انتقال یابد و سبب کاهش میزان دما و افزایش جریان درین در ترانزیستور می شود. همچنین تمرکز منافذ در کانال و زیرمنبع در ساختار نوین نسبت به ساختار متداول کمتر می باشد که باعث بهبود اثر بدنه شناور می شود. به کمک شبیه سازی سیلواکو،عملکرد این ساختار مرود تجزیه و تحلیل قرار گرفته است.