دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET :
تعداد صفحات:۸
چکیده:
در این مقاله ابتدا به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی با پیوند شاتکی پرداخته شده است و سپس تغییرات نسبت جریان روشن به خاموش این ترانزیستورها نسبت به تغییرات ضخامت عایق گیت و همچنین تغییرات نوع عایق گیت (ضرایب دی الکتریک متفاوت) بررسی و شبیه سازی شده است در شبیه سازی ها از یک نانولوله کربنی با اتصالات شاتکی سورس و درین و بردار کایرال (۱۳۰) استفاده شده است. در انتها با استفاده نمودارها مشاهده خواهد شد که کاهش ضخامت عایق گیت سبب افزایش نسبت جریان روشن به خاموش خواهد شد همچنین استفاده از مواد با ضرایب دی الکتریک بالا نسبت نسبت جریان روشن به خاموش را افزایش داد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
