دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله بررسی شرایط بهینه رشد نقاط کوانتومی و لایه های نانوساختارPbSe
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله بررسی شرایط بهینه رشد نقاط کوانتومی و لایه های نانوساختارPbSe دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله بررسی شرایط بهینه رشد نقاط کوانتومی و لایه های نانوساختارPbSe کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی شرایط بهینه رشد نقاط کوانتومی و لایه های نانوساختارPbSe،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله بررسی شرایط بهینه رشد نقاط کوانتومی و لایه های نانوساختارPbSe :
تعداد صفحات:۶
چکیده:
در این مقاله لایه های نازک نانوساختار PbSeبا رسوبگیری از محلولهای شیمیائی استات سرب , ,سولفیت سدیم و پودر سلنیمتهیه شده اند. اثرغلظت محلولها ومدت زمان رسوبگیری بر روی گاف رژی نواری مطالعه شده است. در این کار ما با بررسی اثر غلظتهای متفاوت برشرایط رشد و ارایش لایه ها غلظتهای بهینه را معرفی کرده ایم در غلظت های بالا به دلیل تشکیل رسوبی سفید رنگ مانع از تشکیل لایه ای پیوسته و یکنواخت است و منجر به تشکیل نقاط کوانتمی می شود. نیمه رسانای دوتائی گروه AII-BVبه ویژهPbSe درشکل نانوبلوری به خاطرخواصنوری واثراندازه کوانتومی اهمیت فراوانی پیدا کرده است با کنترل پارامترهای تهیه میتوان نیمهرساناهائی با گاف انرژی نواری دلخواه تهیه نمود[ روش رسوبگیری ازمحلولشیمیائی به خاطر ارزان و سادهبودن یکی از بهترین روشهای تشکیل نیمه رساناهای گروه II-IV است. خواص لایه های تهیه شده با این روش به نحو محسوسی به پارامترهای تهیه شده مانند غلظت محلولها PH نهایی محلول رفتارهای گرمایی بعد از عمل رسوبگیری مانند پخت در هوا و گازهای دیگری نظیر ارگون نیتروژن و ئیدروژن بستگی دارد گاف انرژی PbSe در حالت توده ای ۰۲۸eVاست
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
