مقاله روش جدید بهبود عملکرد تقویت کننده عملیاتی CMOS با تغییر در ساختار Folded Cascode

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله روش جدید بهبود عملکرد تقویت کننده عملیاتی CMOS با تغییر در ساختار Folded Cascode دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله روش جدید بهبود عملکرد تقویت کننده عملیاتی CMOS با تغییر در ساختار Folded Cascode  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله روش جدید بهبود عملکرد تقویت کننده عملیاتی CMOS با تغییر در ساختار Folded Cascode،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله روش جدید بهبود عملکرد تقویت کننده عملیاتی CMOS با تغییر در ساختار Folded Cascode :

تعداد صفحات:۶

چکیده:

در این مقاله، با تغییر ساختار folded cascode ، که به عنوان یکی از رایجترین ساختارها در طراحی تقویتکننده عملیاتی بکار میرود، راهحل جدید برای افزایش ضریب تقویت ( گین ) ولتاژ آن ارایه میشود . در این مدار، بر خلاف روشی که از سوپر کسکود برای بالا بردن مقاومت خروجی و به تبع آن گین استفاده میشود، هدایت انتقالی کل مدار ) ) Gm افزایش پیدا میکند؛ لذا مشکل
محدود شدن پهنای باند ۳dB از بین میرود . برای دستیابی به این خواسته ، تنها نیاز به مصرف توان کمی است تا بتوان ترانزیستوری را که در ساختار معمول بعنوان منبع جریان عمل میکند، به تقویتکننده سورس مشترک تبدیل نمود . برای تحقق این امر، گره دیگری در مدار ایجاد میشود که یک قطب اضافی به تابع انتقال شبکه اضافه و حاشیه فاز آنرا کمتر از حالت معمول میکند . جهت اصلاح فاز پاسخ فرکانسی، از جبرانسازی feed-forward استفاده شده است . همچنین قطب گره کسکود، بدلیل عمل جداسازی قطبها (pole splitting) بین این گره و گره اضافه شده، به فرکانسی بالاتر منتقل میگردد . مقدار Slew Rate تفاضلی مدار نیز نسبت به ساختار معمول دو برابر میشود . البته با بکارگیری این روش، محدوده ولتاژ وجه مشترک ورودی به میزان بسیار جزیی ( حدود ) ۰۱ ~ ۰۲V کم میشود که تاثیر چندانی بر عملکرد آن ندارد .
نتایج شبیهسازی در یک پروسه ۰۳۵µ نوعی با پارامترهایLevel 49 (BSIM3v3)، گین DC بیش از ۶۰dB ، پهنای باند ۳dBحدود ۱۸MHz برای بار خازنی ۲pF ، و پهنای باند گین
واحد ۹۰۰MHz با حاشیه فاز ۶۵ درجه است که نسبت به مدارات قبل دارای مشخصات بهتری میباشد .