سلول حافظه ایستای (SRAM) زیرآستانه هشت ترانزیستوری با قابلیت های بهبودیافته خواندن و نوشتن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 سلول حافظه ایستای (SRAM) زیرآستانه هشت ترانزیستوری با قابلیت های بهبودیافته خواندن و نوشتن دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد سلول حافظه ایستای (SRAM) زیرآستانه هشت ترانزیستوری با قابلیت های بهبودیافته خواندن و نوشتن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی سلول حافظه ایستای (SRAM) زیرآستانه هشت ترانزیستوری با قابلیت های بهبودیافته خواندن و نوشتن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن سلول حافظه ایستای (SRAM) زیرآستانه هشت ترانزیستوری با قابلیت های بهبودیافته خواندن و نوشتن :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران – ب مهندسی کامپیوتر

تعداد صفحات :۱۲

سلول حافظه SRAM شش ترانزیستوری معمولی در ولتاژهای کم قابلیت نوشتن مناسبی ندارد و نیز دچار خطاهای خواندن می شود. در این مقاله با ارائه یک طرح هشت ترانزیستوری برای سلول حافظه، علاوه بر بهبود قابلیت نوشتن، میزان خطای خواندن نیز به شدت کاهش یافته است. بدین ترتیب سلول ارائه شده توانایی کارکردن در ولتاژهای زیرآستانه در حد ۲۷۵ میلی ولت را دارد، در حالی که سلول حافظه شش ترانزیستوری معمولی فاقد این قابلیت است. با طراحی سلول ارائه شده و سلول شش ترانزیستوری معمولی و نیز سه سلول دیگر از بین مقالات اخیر برای مقایسه در تکنولوژی ۹۰ نانومتر صنعتی و انجام شبیه سازی با HSPICE ملاحظه شد که طرح مذکور در ولتاژ تغذیه ۸۰۰ میلی ولت، تاخیر خواندن و نوشتن را به ترتیب به میزان ۵۰% و ۴۷.۵%، نسبت به بهترین طرح از بین چهار طرح فوق کاهش داده است. همچنین میزان بهبود توان مصرفی یک عمل نوشتن در این ولتاژ، نسبت به بهترین طرح، ۴۰% بوده است. از بین پنج طرح مقایسه شده، تنها طرح ارائه شده ما قابلیت کارکرد صحیح در ولتاژهای زیر آستانه را دارد. در انتها با تهیه چینش طرح ارائه شده در تکنولوژی ۱۸۰ نانومتر صنعتی و انجام شبیه سازی بعد از چینش، اثر اضافه شدن پارامترهای پارازیتی در مدار چینش را مورد بررسی قرار داده ایم.

کلید واژه: چینش، حافظه، حافظه ایستای تصادفی، کم توان، Memory، SRAM