بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET :

تعداد صفحات :۱۳

چکیده مقاله:

در این مقاله شرایط مرزی در مرز اتصال نواحی ترانزیستور ماسفت مورد بحث قرار گرفته و نتایج آن ها بر روی مدل کامپکت اثر کانال کوتاه در ماسفت بررسی شده است . ابتدا نشان داده که مدل قبلی VDT نتایج شبیه سازی را زمانی که ناحیه درین با دوز کم یا اسپیسر نازک در نظر گرفته شده باشد را محقق نمی کند. راه حلی که برای آن پیشنهاد شده اصلاح مدل پتانسیل کانال با استفاده از شرایط مرزی دقیق در لبهکانال که از محاسبه یک مقدار دقیق و موثر پتانسیل درون ساخت در سورس و درین تشکیل شده است ، می باشد.در ادامه تاثیر بهبودهای ایجاد شده در شرایط مرزی مدل کامپکت اثر کانال کوتاه بررسی شده است. نشان داده شده مقادیر DIBL و SS در مدل قبلی VDT را می توان به سادگی در تمامی افزاره های ماسفت به مقدار مورد قبول در شبیه سازی و بدون تنظیم پارامترها اصلاح نمود. که این در نهایت اجازه بررسی تاثیر غلظت دوپینگ اتصالها بر روی عملکرد افزاره را می دهد.در ادامه با اصلاح مدل جدید و تاثیر خازن موثر گیت در آن نشان خواهیم داد که مدل جدید توافق بهتری با نتایج شبیه سازی خواهد داشت.