بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر


در حال بارگذاری
بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۶۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

در این مقاله سعی بر آن شده است که یک رابطه برای محاسبه مقدار موثر مقاومت بدنه ترانزسیتورهایPD SOI MOSFET در مقیاس ۵۴ نانومتر مطرح شود. ابتدا با استفاده از محیط شبیه سازی ISE-TCAD یک ترانزیستور با کانال نوع P شبیهسازی نموده و با اعمال بایاس به پایه های آن و رسم منحنی مشخصه جریان- ولتاژ این ترانزیستور پرداخته ایم سپس پارامترهای مهم مربوط به هر کدام نواحی سورس، درین، گیت و سطح زیر بدنه را با استفاده از این نرم افزار استخراج نموده و بهبیان رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقدار موثر مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و طول کانال، بیان می گردد. در نهایت با استفاده از نرم افزارMATLABاین مقاومت را محاسبه نموده ایم

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.