تاثیر تراکم آلایش نوع n بر بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه جریان – ولتاژ سلولهای خورشیدی p/n با نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaInNAs

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 تاثیر تراکم آلایش نوع n بر بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه جریان – ولتاژ سلولهای خورشیدی p/n با نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaInNAs دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد تاثیر تراکم آلایش نوع n بر بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه جریان – ولتاژ سلولهای خورشیدی p/n با نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaInNAs  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی تاثیر تراکم آلایش نوع n بر بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه جریان – ولتاژ سلولهای خورشیدی p/n با نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaInNAs،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن تاثیر تراکم آلایش نوع n بر بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه جریان – ولتاژ سلولهای خورشیدی p/n با نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaInNAs :

تعداد صفحات :۵

چکیده مقاله:

در این مقاله به بررسی اثر تراکم الایش در لایه نوع n بربازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه جریان – ولتاژ سلول خورشیدی همگن با ساختار p/n با مواد نیمرسانای نیتروژن دار رقیق GaInNAs که به روش MOVPE رشد داده شده است پرداخته ایم. مدلسازی نظری ما مبتنی بر محاسبه عرض ناحیه تهی به کمک داده های تجربی بازدهی کوانتومی داخلی و مشخصه I-V حاکی از آن است که با کاهش تراکم آلایش در این لایه از ۱۷ ۱۰ به cm3- 10 15×۵ پهنای ناحیه تهی در حدود ۰/۵ میکرون افزایش می یابد. همچنین دریافتیم این افزایش پهنا به افزایش در بازدهی کوانتومی داخلی و چگالی جریان اتصال کوتاه و نیز کاهش ولتاژ مدار باز سلول خورشیدی منجر می شود.