طراحی و شبیه سازی سوییچ خازنی موازی MEMS با ولتاژ راه انداز پایین و ایزولاسیون بالا

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی و شبیه سازی سوییچ خازنی موازی MEMS با ولتاژ راه انداز پایین و ایزولاسیون بالا دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی و شبیه سازی سوییچ خازنی موازی MEMS با ولتاژ راه انداز پایین و ایزولاسیون بالا  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی و شبیه سازی سوییچ خازنی موازی MEMS با ولتاژ راه انداز پایین و ایزولاسیون بالا،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی و شبیه سازی سوییچ خازنی موازی MEMS با ولتاژ راه انداز پایین و ایزولاسیون بالا :

تعداد صفحات :۱۲

چکیده مقاله:

در این مقاله برای کاهش ولتاژ راه انداز سوییچ ممزی خازنی از روش کاهش فاصله ی هوایی میان پل و خط انتقال استفاده شده است. ما در این طرح ، با ایجاد ساختاری پله ای، ملزومات کاهش فاصله ی هوایی و درنتیجه کاهش ولتاژ راه انداز را فراهم نموده ایم. با استفاده از این تکنیک، ولتاژ راه انداز به ۲.۹ ولت کاهش یافت. علاوه بر آن، برای رسیدن به ایزولاسیون بالاتر، سعی در انتخاب مواد با خواص مناسب برای رسیدن به این هدف نمودیم. به این منظور برای افزایش خازن down، علاوه بر انتخاب ابعاد مناسب، از آلومینیوم ناتراید به جای مواد معمول مانند سیلیکان دی اکساید و سیلیکان ناتراید به عنوان لایه ی دی الکتریک استفاده نمودیم که با gr بیشتر منجر به افزایش خازن و در نتیجه افزایش ایزولاسیون گردید. نتایج به دست آمده از سوییچ در حالت up شامل S11 کمتراز ۱۰dB- در فرکانس ۱ تا ۴۰ گیگا هرتز و نیز S21 بیشتر از ۰.۹۲dB- در فرکانس ۱ تا ۳۰ گیگاهرتز می باشد. همچنین، سوییچ ایولاسیون بسیار خوبی را در حالت down در رنج فرکانسی باند K داراست. بیشترین ایزولاسیون در فرکانس رزونانس ۲۷ گیگاهرتز و به میزان ۵۸dB- می باشد.