بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین :

تعداد صفحات :۱۴

چکیده مقاله:

در این مقاله به بررسی تکنیکهای Dynamic Threshold voltage MOSFET (DTMOS) وBulk-Driven به منظور طراحی مدارات مجتمع آنالوگ ولتاژ و توان پایین پرداخته شده است. دو تکنیک ارائه شده برایطراحی تقویت کننده عملیاتی ولتاژ و توان پایین در ناحیه زیر آستانه جهت کاربردهای پزشکی با ولتاژ کاری ۴.۰ ولت مورد استفاده قرار گرفته است. تقویت کننده عملیاتی در تکنولوی TSMC 0.18m CMOS طراحی و شبیه سازیشده است. با استفاده از تکنیک DTMOS بهره حلقه باز ۲۶.۶۶ دسیبل، پهنای باند بهره واحد ۲.۶ کیلوهرتز، حاشیه فاز ۵۶.۸ درجه و توان مصرفی ۹۶.۳ نانو وات می باشد و با استفاده از تکنیک Bulk-driven بهره حلقه باز ۰۵.۵ دسی-بل، پهنای باند بهره واحد ۵.۸ کیلوهرتز و حاشیه فاز ۲۵.۸ درجه و توان مصرفی ۹۶.۳ نانو وات می باشد. نتایج حاصل ازشبیه سازی بیانگر این است که تکنیک DTMOS دارای بهره و پهنای باند بالاتری می باشد