شبیه سازی و مقایسه دو نمونه SRAM شش ترانزیستوری ساخته شده توسط ترانزیستورهای CNTFET و MOSFET

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 شبیه سازی و مقایسه دو نمونه SRAM شش ترانزیستوری ساخته شده توسط ترانزیستورهای CNTFET و MOSFET دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد شبیه سازی و مقایسه دو نمونه SRAM شش ترانزیستوری ساخته شده توسط ترانزیستورهای CNTFET و MOSFET  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی و مقایسه دو نمونه SRAM شش ترانزیستوری ساخته شده توسط ترانزیستورهای CNTFET و MOSFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن شبیه سازی و مقایسه دو نمونه SRAM شش ترانزیستوری ساخته شده توسط ترانزیستورهای CNTFET و MOSFET :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

تحلیل ولتاژ، رفتار نویزی، حاشیه نوشتن و خواندن در حافظه ایستا با دست یابی تصادفی برای فناوری مبتنی بر ترانزیستورهای MOSFET و CNTFET و با تاکید بر فناوری ۳۲ نانومتر در این مقاله بررسی می شود. حاشیه نویز ایستا، یک پارامتر مهم در طراحی حافظه هاست و به ولتاژ آستانه هر دو نوع ترانزیستور با کانال N و P وابسته است. ولتاژ تغذیه در تعیین ولتاژ نگهدارنده داده (DRV) موثر است. ضمنا طراحی SRAM با قابلیت اطمینان بالا در ناحیه زیر آستانه به خاطر کاهش حاشیه نویز و افزایش تغییرپذیری در این ناحیه، بسیار چالش برانگیز است. در این مقاله به کمک تحلیل مونت کارلو و انتخاب تصادفی داده، همه تحلیل های ac، DC و گذرا بر اساس تغییر در پارامترهای تغذیه، فرکانس کار، دما و نسبت عرض به طول کانال در ترانزیستورهای MOSFET انجام می شود. در مورد ترانزیستور های CNTFET، علاوه بر تغذیه، فرکانس کار و دما، تعداد نانولوله ها، بردار کایرالیتی و نیز فاصله بین مرکز دو نانولوله مجاور ازجمله پارامترهایی هستند که به کمک تحلیل مونت کارلو و شبکه عصبی در جهت کاهش تاخیر، توان مصرفی و حاصل ضرب آن ها بهینه سازی می شوند.