مقاله بازدهی بالای سلولهای خورشیدی فیلم نازک Cu(In Ga)Se2/CdS، با استخراج پیش ماده از InSe GaSe و Cu


در حال بارگذاری
14 سپتامبر 2024
فایل ورد و پاورپوینت
2120
16 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله بازدهی بالای سلولهای خورشیدی فیلم نازک Cu(In Ga)Se2/CdS، با استخراج پیش ماده از InSe GaSe و Cu دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بازدهی بالای سلولهای خورشیدی فیلم نازک Cu(In Ga)Se2/CdS، با استخراج پیش ماده از InSe GaSe و Cu  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بازدهی بالای سلولهای خورشیدی فیلم نازک Cu(In Ga)Se2/CdS، با استخراج پیش ماده از InSe GaSe و Cu،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن مقاله بازدهی بالای سلولهای خورشیدی فیلم نازک Cu(In Ga)Se2/CdS، با استخراج پیش ماده از InSe GaSe و Cu :

تعداد صفحات:۱۳
چکیده:
سلول خورشیدی‏ یک قطعه الکترونیکی حالت جامد است که انرژی نور خورشید را مستقیماً توسط اثرفوتوولتاییک به الکتریسیته تبدیل می‌کند. دو فناوری که در ساخت سلول‌های خورشیدی غالب است: فناوری نسل اول و نسل دوم .فناوری نسل اول بر پایه ویفرهای سیلیکونی با ضخامت ۴۰۰-۳۰۰ میکرومتر است که ساختاری بلوری یا چند بلوری دارند که یا از بریدن شمش بدست می‌آیند یا از روش EFG و با کمک خاصیت مویینگی رشد داده می‌شوند .فناوری نسل دوم یا تکنولوژی لایه نازک، براساس لایه نشانی نیمه هادی روی بسترهای شیشه‌ای، فلزی یا پلیمری، در ضخامت‌های ۵-۳ است .هزینه مواد اولیه در تکنولوژی نسل دوم، پایین‌تر است و از آن گذشته اندازه سلول تا ۱۰۰ برابر بزرگتر از اندازه سلول ساخته شده با تکنولوژی نسل اول است که مزیتی برای تولید انبوه آن محسوب می‌شود. در عوض بازدهی سلول‌های نسل اول، که اغلب سلول‌های بازار را تشکیل می‌دهند، به دلیل کیفیت بالاتر مواد، از بازدهی سلول‌های نسل دوم بیشتر است. انتظار می‌رود اختلاف بازدهی میان سلول‌های دو نسل با گذشت زمان کمتر شده و تکنولوژی نسل دوم جایگزین نسل اول شود.بازده سلول خورشیدیCu(In,Ga)Se2/CdS با یک فرآیند که با استفاده از جدا کردن و سلنیزاسیون آماده شده، ۲/۱۶%است. ا زاهداف جدا کردن ایندیوم‌سلنیوم, گالیوم‌سلنیوم و مس،تهیه پیش سازه‌ها می‌باشد. سلنیزاسیون در یک محفظه خلاءیی وقوع یافته که در آن سلنیوم خالص ازبوته گرافیت تبخیر شده است. کادمیوم سولفور با فرآیند جدایش در یک محفظه‌ای ازآرگون دارای ۳ % ازCHF رسوب می‌کند. این فرآیند بسیار تجدیدپذیر است و به راحتی می‌توان به مقیاس‌های بسیار بزرگتر بهره‌برداری گردد.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.