دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله شبیه سازی سرعت الکترون در GaAs با استفاده از روش مؤنت کارلو تک ذره ای
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله شبیه سازی سرعت الکترون در GaAs با استفاده از روش مؤنت کارلو تک ذره ای دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله شبیه سازی سرعت الکترون در GaAs با استفاده از روش مؤنت کارلو تک ذره ای کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله شبیه سازی سرعت الکترون در GaAs با استفاده از روش مؤنت کارلو تک ذره ای،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله شبیه سازی سرعت الکترون در GaAs با استفاده از روش مؤنت کارلو تک ذره ای :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله سرعت حرکت الکترون به ازای میدان های الکتریکی مختلف در نیمه رسانای GaAs به روش شبیه سازی مونت کارلو شبیه سازی می شود. برای شبیه سازی مسیر حرکت الکترونها، عوامل مختلف پراکندگی الکترونها مانند فونوتهای نوری و آکوسیتیکی و ناخالصی های یونیزه را در نظر می گیریم. در این مقاله از یک مدل دو دره ای و روش تک ذره ای استفاده می کنیم و میانگین سرعت الکترونها بر حسب شدت میدانهای الکتریکی مختلف را محاصبه می کنیم و با داده های معتبر مقایسه می کنیم. در این شبیه سازی توانسته ایم انتقال بین دره ای و قله سرعت الکترونها را شبیه سازی کنیم.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
