دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله افزایش ولتاژ شکست به کمک صفحه میدان در ترانزیستورهای قدرت با قابلیت حرکت بالای الکترون (HEMTs) مبتنی بر AlGaN/GaN
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله افزایش ولتاژ شکست به کمک صفحه میدان در ترانزیستورهای قدرت با قابلیت حرکت بالای الکترون (HEMTs) مبتنی بر AlGaN/GaN دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله افزایش ولتاژ شکست به کمک صفحه میدان در ترانزیستورهای قدرت با قابلیت حرکت بالای الکترون (HEMTs) مبتنی بر AlGaN/GaN کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله افزایش ولتاژ شکست به کمک صفحه میدان در ترانزیستورهای قدرت با قابلیت حرکت بالای الکترون (HEMTs) مبتنی بر AlGaN/GaN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله افزایش ولتاژ شکست به کمک صفحه میدان در ترانزیستورهای قدرت با قابلیت حرکت بالای الکترون (HEMTs) مبتنی بر AlGaN/GaN :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله تاثیر بکارگیری تکنیک صفحه میدان درونی بر افزایش ولتاژ شکست و جریان درین _ سورس در ترانزیستورهای قدرت با قابلیت حرکت بالای الکترون مبتنی بر AlGaN/GaN را مورد بررسی قرار داده ایم. در ساختار صفحه میدان درونی، صفحه میدان درونی به گیت متصل می باشدوتک صفحه میدان به سورس متصل می باشد.شیوه طراحی قانونمندی برای افزاره با صفحه میدان درونی ارائه شده است که در آن از شبیه سازی دو بعدی جهت بیشینه نمودن همزمان درین – سورس و ولتاژشکست به کار گرفته می شود. با استفاده از تحلیل عددی نشان داده ایم که صرفا با بهینه سازی ضخامت لایه غیر فعال کننده Si3N4 در زیر تک صحفه میدان ، طول صفحه میدان درونی در فاصله بین گیت- درین و طول تک صفحه میدان در فاصله بین سورس- درین، در ساختار صفحه میدان درونی بیشترین بهبود در بیشینه ولتاژ شکست و بیشینه جریان درین _ سورس به دست می آید.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
