دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله مشخصه یابی آلایش لایه ای سیلیکان – برون در ساختار Si/Si-B/Si رشد یافته به روش رونشانی پرتو ملکولی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله مشخصه یابی آلایش لایه ای سیلیکان – برون در ساختار Si/Si-B/Si رشد یافته به روش رونشانی پرتو ملکولی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله مشخصه یابی آلایش لایه ای سیلیکان – برون در ساختار Si/Si-B/Si رشد یافته به روش رونشانی پرتو ملکولی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله مشخصه یابی آلایش لایه ای سیلیکان – برون در ساختار Si/Si-B/Si رشد یافته به روش رونشانی پرتو ملکولی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله مشخصه یابی آلایش لایه ای سیلیکان – برون در ساختار Si/Si-B/Si رشد یافته به روش رونشانی پرتو ملکولی :
تعداد صفحات:۵
چکیده:
در این مقاله مشخصه یابی الکتریکی آلایش لایه ای سیلیکان – برون در ساختار Si/Si-B/Si که با سیستم رونشانی پرتو ملکولی (MBE) رشد یافته می پردازیم. پس از رشد ساختار، ولتاژ عرضی هال در گستره دمایی ۶۰ تا ۳۰۰ کلوین اندازه گیری شده و متعاقبا وابستگی دمایی ضریب هال به دست آمده است. با برازش نظری تغییرات دانسیته سطحی حفره ها نسبت به دما، چگالی و انرژی یونش ناخالصی، فاکتور هال و ضریب بالاکشیدگی تراز فرمی محاسبه شده است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
