استفاده GaAs با رسوبات As در آشکار ساز نوری P-i-n ، ا ۱.۳ میکرومتری


در حال بارگذاری
استفاده GaAs با رسوبات As در آشکار ساز نوری P-i-n ، ا ۱.۳ میکرومتری
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
11 بازدید
۶۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 استفاده GaAs با رسوبات As در آشکار ساز نوری P-i-n ، ا ۱.۳ میکرومتری دارای ۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد استفاده GaAs با رسوبات As در آشکار ساز نوری P-i-n ، ا ۱.۳ میکرومتری  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی استفاده GaAs با رسوبات As در آشکار ساز نوری P-i-n ، ا ۱.۳ میکرومتری،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن استفاده GaAs با رسوبات As در آشکار ساز نوری P-i-n ، ا ۱.۳ میکرومتری :

تعداد صفحات :۴

چکیده مقاله:

این اولین آشکارساز GaAs که در رنج نوری ۱.۳ تا ۱.۵ میکرومتری کار می کند. این آشکارساز یک دیود نوری پین است که لایه مرکب ذاتی GaAs را در دمای ۲۲۵ درجه سانتی گراد رشد دادیم و متعاقبا در حرارت ۶۰۰ درجه سانتیگراد هم رشد دادیم. فرایند رشد همان طور که شرح داده می شود با غلظت بالا ساخته می شود و از رسوب As در منطقه رشد دمای پایین است. ما اینجا اثر جذب را از طریق خروج الکترون از داخل فلز در اثر نیروی ناشی از نور و … را نشان می دهیم و همچنین ارتفاع سد شاتکی را در حدود ۰.۶ev پیدا کردیم و نفوذ با حساسیت قابل قبول در حدود ۱.۷ میکرومتر در دمای اتاق است.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.